Disque Dur Samsung SSD 990 PRO NVMe M.2 PCIe 4.0 - 1 To (MZ-V9P1T0BW)

Réf :
MZ-V9P1T0BW
En stock
-15%
    • Performances ultra-rapides 
      Grâce à l'interface PCIe 4.0 , ce SSD offre des vitesses de lecture et d'écriture exceptionnelles (jusqu'à 7 450 Mo/s en lecture et 6 900 Mo/s en écriture ), ce qui améliore considérablement le temps de chargement des applications et des jeux.

    • Efficacité énergétique optimisée 
      Le Samsung SSD 990 PRO est conçu pour consommer moins d'énergie tout en maintenant des performances élevées, ce qui est idéal pour les ordinateurs portables et les configurations à faible consommation.

    • Fiabilité et durabilité s'accumule 
      Avec une mémoire NAND de qualité et une endurance élevée ( jusqu'à 600 TBW pour la version 1 To ), ce SSD garantit une longue durée de vie et une protection avancée des données.

    • Compatibilité et facilité d'installation 
      Son format M.2 2280 et sa compatibilité avec PCIe 4.0 en font une excellente option pour les PC de bureau, les ordinateurs portables de jeu et les stations de travail, offrant une mise à niveau facile sans encombrement.

1 350.00 Dhs HT 1 590.00 Dhs HT
Description
 

  • Utilisation

    PC et consoles de jeux

  • Capacité

    1 000 Go (1Go= 1 Milliard d'octets par IDEMA)*

  • Forme

    M.2 (2280)

  • Interface

    PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

  • Dimensions du produit

    80 x 22 x 2.3 mm

  • Poids

    Max 9.0g

  • Mémoire de stockage

    Samsung V-NAND TLC

  • Contrôleur

    Contrôleur made in Samsung

  • Mémoire cache

    Samsung 1Go Low Power DDR4 SDRAM

  • Support TRIM

    Pris en charge

  • Support S.M.A.R.T

    Pris en charge

  • Ramasse-miettes

    Algorithme de récupération des données automatique

  • Système de cryptage

    AAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)ES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)

  • Support WWN

    Non pris en charge

  • Mode veille

    Oui

  • Lecture séquentielle

    Jusqu'à 7 450 Mo/s *

  • Écriture séquentielle

    Jusqu'à 6 900 Mo/s

  • Lecture aléatoire (4KB, QD32)

    Jusqu'à 1 400 000 IOPS *

  • Écriture aléatoire (4KB, QD32)

    Jusqu'à 1 550 000 IOPS *

  • Lecture aléatoire (4KB, QD1)

    Jusqu'à 22 000 IOPS *

  • Écriture aléatoire (4KB, QD1)

    Jusqu'à 80 000 IOPS *

  • Consommation moyenne

    5,5 W. Maximum 7,8 W *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

  • Consommation en mode veille

    Max. 50 mW *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

  • Voltage

    3.3 V ± 5 % Voltage autorisé

  • Fiabilité (MTBF)

    Fiabilité de 1,5 Millions d'heures

  • Température hors fonctionnement

    0 - 70 ℃

  • Chocs

    1 500 G & 0,5 ms (Semi-sinusoïdal)

 
 
 
Détails de produit
Plus d’information
Réf MZ-V9P1T0BW
Ref Frns MZ-V9P1T0BW
Marque Samsung
Couleur Noir
Disque Dur 1 To
Nbr d'unités 1
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