Disque Dur Samsung SSD Interne 990 EVO NVMe M.2 PCIe 4.0 x4 1 To (MZ-V9E1T0BW)

Réf :
MZ-V9E1T0BW
En stock
-13%
  • Caractéristiques

    • InterfacePCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
    •  
    • Lecture séquentielleJusqu'à 5 000 Mo/s*
    •  
    • Écriture séquentielleJusqu'à 4 200 Mo/s*
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    • GarantieGarantie de 5 ans ou 600 TBW
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    • UtilisationPC et consoles de jeux
    •  
    • PoidsMax 9.0g
     

    Caractéristiques générales

    • UtilisationPC et consoles de jeux
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    • Capacité1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)**
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    • FormeM.2 (2280)
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    • InterfacePCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
    •  
    • Dimensions du produit80 x 22 x 2.38 mm
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    • PoidsMax 9.0g
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    • Mémoire de stockageSamsung V-NAND TLC
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    • ContrôleurSamsung in-house Controller
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    • Mémoire cacheHMB(Host Memory Buffer)

    Caractéristiques spécifiques

    • Support TRIMSupporté
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    • Support S.M.A.R.TSupporté
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    • Ramasse-miettesAuto Garbage collection Algorithm
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    • Système de cryptageCryptage AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté)
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    • Support WWNNon supporté
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    • Mode veilleOui

    Performances

    • Lecture séquentielleJusqu'à 5 000 Mo/s*
    •  
    • Écriture séquentielleJusqu'à 4 200 Mo/s*
    •  
    • Lecture aléatoire (4KB, QD32)Jusqu'à 680 000 IOPS*
    •  
    • Écriture aléatoire (4KB, QD32)Jusqu'à 800 000 IOPS*
    •  
    • Lecture aléatoire (4KB, QD1)Jusqu'à 20 000 IOPS*
    •  
    • Écriture aléatoire (4KB, QD1)Jusqu'à 90 000 IOPS*

    Environnement

    • Consommation moyenneLecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W***
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    • Consommation en mode veilleGénéralement 60 mW***
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    • Power Consumption (Device Sleep)Généralement 5 mW, Tension admissible 3,3 V ± 5 %***
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    • Voltage3,3 V ± 5 % Tension admissible
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    • Fiabilité (MTBF)1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)
    •  
    • Température hors fonctionnement0 - 70°C Température de fonctionnement
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    • Chocs1 500 g et 0,5 ms

    Accessoires

    • Kit d'installationNon disponible

    Logiciel

    • Logiciel de gestionSamsung Magician

    Garantie

    • Garantie de 5 ans ou 600 TBW

1 040.00 Dhs HT 1 190.00 Dhs HT
Description
Caractéristiques Interface PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Lecture séquentielle Jusqu'à 5 000 Mo/s* Écriture séquentielle Jusqu'à 4 200 Mo/s* Garantie Garantie de 5 ans ou 600 TBW Utilisation PC et consoles de jeux Poids Max 9.0g Détail des caractéristiques Caractéristiques générales Utilisation PC et consoles de jeux Capacité 1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)** Forme M.2 (2280) Interface PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Dimensions du produit 80 x 22 x 2.38 mm Poids Max 9.0g Mémoire de stockage Samsung V-NAND TLC Contrôleur Samsung in-house Controller Mémoire cache HMB(Host Memory Buffer) Caractéristiques spécifiques Support TRIM Supporté Support S.M.A.R.T Supporté Ramasse-miettes Auto Garbage collection Algorithm Système de cryptage Cryptage AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté) Support WWN Non supporté Mode veille Oui Performances Lecture séquentielle Jusqu'à 5 000 Mo/s* Écriture séquentielle Jusqu'à 4 200 Mo/s* Lecture aléatoire (4KB, QD32) Jusqu'à 680 000 IOPS* Écriture aléatoire (4KB, QD32) Jusqu'à 800 000 IOPS* Lecture aléatoire (4KB, QD1) Jusqu'à 20 000 IOPS* Écriture aléatoire (4KB, QD1) Jusqu'à 90 000 IOPS* Environnement Consommation moyenne Lecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W*** Consommation en mode veille Généralement 60 mW*** Power Consumption (Device Sleep) Généralement 5 mW, Tension admissible 3,3 V ± 5 %*** Voltage 3,3 V ± 5 % Tension admissible Fiabilité (MTBF) 1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF) Température hors fonctionnement 0 - 70°C Température de fonctionnement Chocs 1 500 g et 0,5 ms Accessoires Kit d'installation Non disponible Logiciel Logiciel de gestion Samsung Magician Garantie Garantie de 5 ans ou 600 TBW
Détails de produit
Plus d’information
Réf MZ-V9E1T0BW
Ref Frns MZ-V9E1T0BW
Marque Samsung
Couleur Noir
Disque Dur 1 To
Nbr d'unités 1
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